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MBRB8H100T4G, NBRB8H100T4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
100
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR) TC
= 171
°C
IF(AV)
8
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz) TC
= 171
°C
IFRM
16
A
Max Nonrepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz, 25°C)
IFSM
250
A
Operating Junction and Storage Temperature Range (Note 1)
TJ, Tstg
?65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance
Junction?to?Case (Note 2)
Junction?to?Ambient
RJC
RJA
1.1
44
°C/W
2. When mounted using minimum recommended pad size on FR?4 board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3)
(IF
= 8 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 8 A, T
J
= 125
°C)
VF
0.71
0.55
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 3)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 125
°C)
IR
4.5
5.3
A
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Per Leg)
Capacitance
(VR
= 4.0 V, T
C
= 25
°C, Frequency = 1.0 MHz)
CT
600
pF
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%
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